场效应开关管好坏如何测试？
朋友堂我不知道你是否有同样的感觉，但我认为它很难区分场效应管。这里我介绍一种简单的测量方法和一种判断场效应开关管好坏的方法:将万用表的电阻量程设置为R×1k，用黑色触针接D极，用红色触针接S极，用手同时触摸G极和D极，场效应开关管应处于瞬时导通状态，即手要摆动到电阻较小的位置；用手再摸一下G极和S极，场效应开关管应该没有反应，也就是指针在零位不会动；此时可以判断场效应开关管是好管。判断场效应开关管极性的方法如下:将万用表的阻值范围设置为R×1k，分别测量三个管脚之间的电阻。如果一个管脚和另外两个管脚之间的电阻是无穷大，换了探头之后还是无穷大，那么这个管脚就是G极，另外两个管脚就是S极和D极；
然后用万用表测量一次S极和D极之间的电阻，交换两根探针后再测量一次，其中黑色探针接S极，红色探针接D极。
哪些电器场效应管最多？
F
场效应管做开关压降是多少？
场效应晶体管的导通电压VTN通常约为2V。场效应晶体管:场效应晶体管(FET)是场效应晶体管的简称。
主要有两种(结型FET——JFET)和金属氧化物半导体FET(简称MOS-FET)。
多数载流子传导也称为单极晶体管。属于压控半导体器件。具有高输入电阻(107~1015ω)、低噪声、低功耗、大动态范围、易集成、无二次击穿现象、安全工作区宽等优点，成为双极晶体管和功率晶体管的有力竞争者。场效应晶体管(FET)是一种通过控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的半导体器件，因此而得名。
工作原理:一句话，场效应晶体管的工作原理是"在漏极和源极之间流动的沟道的ID，用于由栅极和沟道之间的pn结形成的反向偏置栅极电压控制"。
更准确地说，ID流过的沟道的宽度，即沟道的横截面积，是由pn结反向偏置的变化来控制的，导致耗尽层的膨胀变化。在VGS0的非饱和区，过渡层的膨胀不是很大，而根根据施加在漏极和源极之间的VDS电场，源区中的一些电子被漏极拉走，即电流ID从漏极流向源极。
从栅极延伸到漏极的过渡层将一部分沟道形成为阻挡型，ID饱和。这种状态称为夹断。这意味着过渡层阻挡了一部分通道，但电流没有被切断。